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摘要:
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基于RHEED图像外延GaN基薄膜表面晶格演变分析
高能电子衍射仪
氮化镓
薄膜
晶格
GaN薄膜表面缺陷密度的提取
氮化镓薄膜
缺陷
密度提取
二值化
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有限元方法
金属薄膜
屈服强度
能量量纲化
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硅衬底
GaN
应力
XRD
Ag-In
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 InAlGaN薄膜和硅基GaN的HRXRD表征
来源期刊 北京同步辐射装置年报 学科 物理学
关键词 InAlGaN薄膜 硅基GAN HRXRD表征 氮化物 III族 量子阱 晶格
年,卷(期) bjtbfszznb_2002,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 159-162
页数 4页 分类号 O484
字数 语种
DOI
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2002(0)
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研究主题发展历程
节点文献
InAlGaN薄膜
硅基GAN
HRXRD表征
氮化物
III族
量子阱
晶格
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
北京同步辐射装置年报
年刊
北京市石景山区玉泉路19号乙
出版文献量(篇)
264
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