纳米石墨晶薄膜的场发射特性

• 作者: 张传平 彭红艳 王维彪
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 场发射 纳米石墨晶 薄膜 阈值
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 445-449
• 页数: 5页
• 分类号: O462.4
• 字数: 1620字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2002.06.007

摘要

研究了纳米石墨晶的场发射特性.介绍了纳米石墨晶薄膜的制备方法,通过扫描电镜和Raman光谱对纳米石墨晶的结构进行了分析.场发射特性测试表明纳米石墨晶薄膜的场发射阈值电场为1.8V/μm.根据实验结果计算出纳米石墨晶的有效功函数在0.75～1.62eV之间.研究表明纳米石墨晶薄膜具有一些独到的特点,也非常适合场发射显示用冷阴极的制备.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王维彪	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	29	91	6.0	7.0
2	张传平	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	2	23	2.0	2.0
3	彭红艳		1	9	1.0	1.0