槽栅IGBT硅化物自对准技术研究

• 作者: 刘君华 朱长纯 袁寿财
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 槽栅 工艺 全自对准 硅化物 多重沟道短路 制造
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 页码范围: 420-423
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 1743字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2002.04.022

摘要

本文设计了一种全自对准的槽栅IGBT(绝缘栅双极晶体管)结构,其工艺简单,全套工艺只有两张光刻版,是现有IGBT工艺中最少的,而且两次光刻之间没有套刻关系,避免了套刻误差 ,提高了工艺成品率.同时,降低了制版费用和制造成本.设计了一种独特的IGBT多重沟道短路结构,有效的防止闩锁.用氧化层硬掩膜和先进的硅化物工艺实现金属接触全自对准, 可使元包尺寸减小到2 μm甚至更小,增加了IGBT芯片单位面积的元包密度和沟道宽度,提高了电流,使器件导通电阻低于0.23 mΩ/cm2.用砷(As)掺杂代替磷(P),可有效提高源区表面浓度,实现浅结工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘君华	西安交通大学电子与信息学院	224	3216	28.0	45.0
2	朱长纯	西安交通大学电子与信息学院	215	2372	22.0	41.0
3	袁寿财	西安交通大学电子与信息学院	15	174	7.0	13.0