亚微米自对准硅化物工艺开发

• 作者: 刘允 陈海峰
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 自对准硅化物 硅化物桥 电阻率 转移曲线 RTP退火
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 37-39
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 2060字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2006.03.009

摘要

文章对亚微米自对准硅化物制造设备及工艺进行了详细的描述.文中以实际生产为目标,以实验数据为依据,对影响自对准硅化物薄膜特性的各项工艺参数进行调试和论证,找出合适的RTP1温度,并开发出适合自对准硅化物薄膜的工艺标准.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈海峰		10	3	1.0	1.0
2	刘允		8	19	3.0	4.0