脉冲偏压下沉积的立方氮化硼膜的断面结构研究

• 作者: 吕反修 唐伟忠 夏立芳 宋建华 张恒大 田晶泽
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 立方氮化硼 活性反应离子镀 界面
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 127-130
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2850字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2002.02.011

摘要

采用自行研制的磁增强活性反应离子镀系统,在脉冲偏压条件下成功地合成了高品质立方氮化硼(c-BN)薄膜.用傅立叶变换红外谱(FTIR)分析沉积膜的相结构,用透射电镜(TEM)及高分辨率透射电镜(HRTEM)分析膜的断面结构.FTIR结果表明:c-BN的纯度强烈地受基片负偏压的影响,当基片负偏压为155 V,c-BN膜的纯度高达90%以上.TEM及HRTEM对膜的断面结构分析表明,在膜与基片的界面处存在很薄的非晶氮化硼和六方氮化硼(h-BN)层,h-BN(0002)晶面垂直于基片表面,在界面层之上生长着单相c-BN层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏立芳	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	48	772	16.0	26.0
2	吕反修	北京科技大学材料科学与工程学院	151	1208	18.0	24.0
3	唐伟忠	北京科技大学材料科学与工程学院	106	860	16.0	21.0
4	宋建华	北京科技大学材料科学与工程学院	29	265	11.0	14.0
5	张恒大	北京科技大学材料科学与工程学院	10	62	5.0	7.0
6	田晶泽	北京科技大学材料学院表面技术研究室	3	11	2.0	3.0