SITH栅-阴击穿特性分析

• 作者: 黄淑芳
• 来源期刊: 武汉理工大学学报(信息与管理工程版)
• 学科: 工学
• 关键词: 栅-阴击穿特性 芯片 耗尽层 外延层 台面腐蚀
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 91-92
• 页数: 2页
• 分类号: TP211
• 字数: 1639字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3963/j.issn.1007-144X.2002.03.026

摘要

分析了SITH沟道及外延层反向耐压承受能力,并通过对不同芯片的栅-阴击穿电压特性的测试结果的分析研究,论述了台面腐蚀是直接影响VGK及器件I-V特性的主要因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄淑芳	武汉化工学院物理系	5	6	1.0	2.0