PECVD非晶SiO2薄膜的红外吸收特性研究

• 作者: 何乐年
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶SiO2薄膜 PECVD 红外光谱 Si-O-Si键
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 76-78
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4+1
• 字数: 3039字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2002.01.026

摘要

用傅里叶红外吸收(FT-IR)光谱研究了等离子体化学气相沉积法(PECVD)制备的非晶siO2薄膜(a-SiO2)的Si-(O-Si键的红外吸收特性与膜厚的关系.Si-O-Si伸缩振动模在1050cm-1和1150cm-1附近分别有两个吸收峰,弯曲振动模在800cm-1附近有一个吸收峰.1050cm-1和1150cm-1吸收带的积分强度随着膜层的递增而增加,而800cm-1吸收带的积分强度不随膜层的递增而变化.因此我们推测薄膜密度不随膜厚而变化,1050cm-1吸收带的积分强度随着膜层的递增而增加的原因是由于1150 cm-1吸收带对1050cm-1吸收带的影响.另外,800cm-1和1050cm-1这两个吸收峰的表观吸收系数αapp被发现和膜厚d成正比:αapp=k×d.利用αapp和d的正比关系,PECVD a-SiO2的膜厚可用非破坏性的FT-IR快速方便地测定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何乐年	浙江大学信息与电子工程学系	88	869	16.0	26.0