(Si,Er)双注入热氧化硅的光致发光

• 作者: 张通和 徐飞 程国安 肖志松 顾岚岚
• 来源期刊: 光谱学与光谱分析
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子注入 铒 纳米硅 光致发光
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 页码范围: 538-541
• 页数: 4页
• 分类号: O482.31
• 字数: 3331字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-0593.2002.04.003

摘要

采用强流金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源注入机,先将Si大束流注入热氧化SiO2/单晶硅,直接形成镶嵌在SiO2中的纳米晶Si,再小束流注入Er.Er离子在掺杂层中的浓度可达1021 cm-3量级,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3+浓度.在77 K和室温下,观察到了Er3+的1.54 μm特征发射.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程国安	南昌大学材料科学与工程系	17	202	5.0	14.0
2	张通和		7	30	4.0	5.0
3	徐飞	南昌大学材料科学与工程系	19	97	5.0	9.0
7	肖志松		3	7	1.0	2.0
8	顾岚岚	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	8	42	4.0	6.0