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利用深度反转层反馈晶体管直接测量场效应管阈值电压
利用深度反转层反馈晶体管直接测量场效应管阈值电压
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摘要：
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部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型
部分耗尽
异质环栅
金属氧化物半导体场效应晶体管
阈值电压
一种围栅金属氧化物半导体场效应管阈值电压模型
阈值电压
圆柱形围栅
多晶硅耗尽
表面势
铁电场效应晶体管的建模与模拟
铁电场效应晶体管
铁电极化
模拟
建模
一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管
隧穿
场效应晶体管
平均亚阈值斜率
隧穿势垒
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期刊影响力
世界电子元器件
主办单位：
中国电子信息产业发展研究院
出版周期：
月刊
ISSN：
1006-7604
CN：
11-3540/TN
开本：
16开
出版地：
北京市北四环西路67号大地科技大厦1201-1218
邮发代号：
82-796
创刊时间：
1995
语种：
chi
出版文献量（篇）
5855
总下载数（次）
6
总被引数（次）
6108
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