场效应管静电失效与防护措施研究

• 作者: 任西 杨洁 王殿湘 赵力甦 韩克华
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: 场效应管 失效 静电放电 措施
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 页码范围: 65-67
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

针对某产品中场效应管IRF840参数超标问题，通过理论分析和试验验证，IRF840失效机理为：G-S间遭受ESD，引起栅氧化层局部损伤，造成G-S间漏电流增大，绝缘电阻大大下降，参数超标。从人体静电防护、焊接工艺完善、器件加固设计等方面提出了改进措施，有效防止ESD对产品的损伤。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩克华		17	66	6.0	7.0
2	任西		16	71	5.0	7.0
3	王殿湘		6	30	3.0	5.0
4	杨洁		3	5	1.0	2.0
5	赵力甦		1	4	1.0	1.0