窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究

• 作者: 冯志伟 周帆 张瑞英 李国华 王圩 董杰 边静
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 窄条宽选区生长 化学气相沉积 InGaAsP 波长调制
• 年，卷（期）: 2002,（9）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 832-836
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.052
• 字数: 3035字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2002.09.017

摘要

采用窄条宽选区生长化学气相沉积(NSAG-MOCVD)技术在掩膜宽度0～40 μm范围内,获得波长漂移达177.5 nm的高质量的InGaAsP材料,经推导,获得各个生长区域的组份、应变和In,Ga的气相浓度增加因子的比值随掩膜条宽的变化关系,并且认为该比值在阈值掩膜宽度范围内,与Ⅲ族分压比相关,大于阈值掩膜宽度范围内,与Ⅲ族源无关.此外,对材料富In现象作了合理解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李国华	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	25	99	5.0	9.0
2	张瑞英	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	14	115	5.0	10.0
3	董杰	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	26	129	7.0	10.0
4	冯志伟		3	2	1.0	1.0
5	周帆	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	28	59	4.0	5.0
6	边静	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	9	10	2.0	3.0