利用CMOS技术实现高集成度射频电路

• 来源期刊: 世界电子元器件
• 学科: 工学
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 通信及网络元器件
• 页码范围: 36-38
• 页数: 3页
• 分类号: TN91
• 字数: 2832字
• 语种: 中文

摘要

CMOS制造工艺过去主要用于数字器件,并在此市场取得绝对优势.但在强大的需求带动下,CMOS技术也不断进步,目前已能提供更高集成度、更低功率消耗和更快工作速度,其应用已经扩展到GSM/GPRS移动电话模拟射频电路领域.本文介绍两个应用于移动电话市场的射频器,及通过CMOS技术实现高集成度射频电路的发展趋势