集成电路器件微波损伤效应实验研究

• 作者: 乔登江 方进勇 杨志强 申菊爱
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 微波损伤效应 高功率微波
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 高功率微波
• 页码范围: 591-594
• 页数: 4页
• 分类号: TN015
• 字数: 2010字
• 语种: 中文

摘要

主要介绍了微波脉冲参数变化对集成电路器件微波易损性的影响.实验表明:集成电路器件损伤功率阈值随着微波频率的增加而增大,随着脉冲重复频率的增加而减小.随脉冲宽度的变化较为复杂,总体是随着脉冲宽度的增加损伤功率阈值逐渐降低,但存在一拐点区域(约100ns),在此区域后,脉冲宽度增加但器件损伤功率阈值变化不甚明显.器件损伤功率阈值基本呈正态分布,且方差较小,因此,器件的损伤概率近似于0～1分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方进勇		19	219	9.0	14.0
2	乔登江		22	215	9.0	14.0
3	杨志强		14	84	4.0	9.0
4	申菊爱		1	46	1.0	1.0