ESD脉冲对集成电路损伤效应的实验研究

• 作者: 刘尚合 谭志良 贺其元 陈京平
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 静电放电 脉冲 注入 损伤 集成电路 实验研究
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 电磁兼容与工程电磁场
• 页码范围: 121-124
• 页数: 4页
• 分类号: O441.1
• 字数: 2553字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6520.2007.03.028

摘要

为了研究复杂波形脉冲对集成电路的损伤效应,用改变ESD模拟器放电参数产生的不同的静电放电脉冲对某集成电路芯片进行了注入损伤效应实验.给出了各主要的损伤参数与放电电压的散点图,并借助曲线拟合的方法进行了分析.结果表明:IC芯片注入通路上的电阻在脉冲波形发生变化时变化不大,电流随放电电压增大;芯片上的峰值功率及峰值能量与放电电压满足P(W)=AUBD.最后,比较了各脉冲注入下器件的主要参数损伤阈值,得到结论:ESD模拟器放电参数改变对器件损伤阈值大小的影响在1～2倍间,相同参数在不同注入脉冲下的阈值处于同数量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘尚合	军械工程学院电磁防护理论与技术研究所	203	2590	23.0	39.0
2	陈京平	军械工程学院电磁防护理论与技术研究所	16	203	9.0	14.0
3	谭志良	军械工程学院电磁防护理论与技术研究所	62	313	9.0	15.0
4	贺其元	军械工程学院电磁防护理论与技术研究所	17	199	8.0	13.0