集成电路不同脉冲注入的损伤效应相关性

• 作者: 刘进 谭志良 陈京平 陈永光
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 集成电路 静电放电(ESD)脉冲 方波脉冲 损伤效应 曲线拟合 相关性
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 电磁兼容与工程电磁场
• 页码范围: 1740-1745
• 分类号: O441.1
• 字数: 3905字
• 语种: 中文

摘要

为了分析复杂波形脉冲注入对集成电路的损伤特点，找出不同波形参数的脉冲注入损伤效应相关性，用方波脉冲和不同模型的静电放电（ESD）对5种具有典型代表意义的集成电路器件进行注入损伤效应实验，并给出了器件的损伤电压、损伤功率、损伤能量等值。采用曲线拟合的分析法，基于实验数据建立起脉冲特性参数与器件损伤参数间的数学关系，其函数拟合精度很高，可为进一步研究器件的电磁损伤机理提供指导。实验结果表明：能量型损伤为集成电路器件损伤的一种主要形式，其损伤机理是由于在PN结上的能量积累使得温度升高而最终热烧毁。各器件的能量损伤阂值与其平均值相比，平均变化区间度处于10％～20％之间，故能量可作为这种损伤模式的主要判定参数。静电放电的损伤阈值普遍略小于方波脉冲的损伤阈值，但不同脉冲注入下器件的损伤规律类似，只有量的不同而没有质的不同。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘进	军械工程学院静电与电磁防护研究所	56	208	8.0	12.0
2	陈京平	军械工程学院静电与电磁防护研究所	16	203	9.0	14.0
3	谭志良	军械工程学院静电与电磁防护研究所	62	313	9.0	15.0
4	陈永光	军械工程学院静电与电磁防护研究所	42	296	10.0	15.0