两种脉冲对集成电路损伤的相关性研究

• 作者: 刘国栋 张大伟 贺其元 陈京平
• 来源期刊: 无线电工程
• 学科: 物理学
• 关键词: EMP脉冲 集成电路 损伤 相关性
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 专题技术与工程应用
• 页码范围: 56-58
• 页数: 3页
• 分类号: O441.1
• 字数: 3105字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-3106.2007.09.019

摘要

在分析集成电路器件EMP损伤模式的基础上,给出了一种从器件热失效的角度出发对方波脉冲和ESD脉冲进行相关研究的途径:即当器件属于能量型损伤时,在一些失效机理下,可以根据器件在高压瞬态过应力作用下的功率和能量参量进行某种相关,这种相关是指可用能对器件产生相同热作用的方波脉冲来替代ESD脉冲.利用已经建立起来的器件损伤参数与脉冲参数之间的关系模型和器件的失效阈值模型,给出了这种相关的方法并讨论了这种方法在理论上的可行性以及它的适用性和局限性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈京平	军械工程学院静电与电磁防护研究所	16	203	9.0	14.0
2	贺其元	军械工程学院静电与电磁防护研究所	17	199	8.0	13.0
3	张大伟		10	18	3.0	4.0