Si-SiO2薄膜的翘曲度及应力分布测试分析

• 作者: 廖秀英 杨晓波
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 错位相移 薄膜 翘曲度 应力
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 209-211
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1824字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2003.03.019

摘要

应用BGS 6341型电子薄膜应力分布测试仪,对硅薄膜翘曲度及应力进行了测试,结合生产工艺对其测试结果加以分析,找出应力产生的各种因素,并加以改进,有效地提升工艺生产水平及稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨晓波		11	33	3.0	5.0
2	廖秀英		3	19	2.0	3.0