强脉冲X射线辐照在Si-SiO2中感生的界面态及退火消除

• 作者: 姚育娟 李英俊 杨志安 罗尹虹 靳涛
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: X射线 强辐射场 界面态
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 高功率激光与光学
• 页码范围: 521-525
• 页数: 5页
• 分类号: O434.1
• 字数: 4580字
• 语种: 中文

摘要

利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照,测量了界面态曲线和退火曲线.实验显示:经过强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行的辐照,在Si-SiO2界面感生出新的界面态,感生界面态的增加与辐照剂量成正比,并且易出现饱和现象.总结出了感生界面态密度产额Dit随辐照剂量D变化的分布式,并定性分析了Dit随D变化的行为.退火实验表明;强脉冲X射线辐照感生出的界面态越多,退火时这些界面态就消除得越快.退火过程显示有滞后现象,即辐照剂量大的阈电压漂移,在退火后恢复的绝对值,要小于辐照剂量小的阈电压漂移.导出了阈电压漂移随退火时间变化的关系,定性解释了滞后现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨志安	济南大学理学院	15	85	5.0	8.0
2	靳涛	中国科学院新疆物理研究所	11	6	2.0	2.0
3	李英俊	中国矿业大学基础系	1	2	1.0	1.0
4	姚育娟		10	48	4.0	6.0
5	罗尹虹		54	199	8.0	10.0