强脉冲X射线辐照Si-SiO2界面对C-V和I-V特性曲线的影响

• 作者: 姚育娟 戴慧莹 杨志安 杨祖慎 罗尹虹 靳涛
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: X射线 Si-SiO2界面 辐射损伤
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 高功率微波
• 页码范围: 302-306
• 页数: 5页
• 分类号: O434.1
• 字数: 3048字
• 语种: 中文

摘要

利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照,测量了C-V曲线和I-V曲线.实验发现,经过强脉冲X射线对 Si-SiO2界面进行的辐照,使C-V曲线产生了正向漂移,这一点与低剂量率辐射结果不同;辐射后,感生I-V曲线产生畸变;特别地,从I-V曲线上还反映出强脉冲X射线辐照的总剂量效应造成电特性参数明显退化,最后甚至失效.讨论了强脉冲X射线辐照对Si-SiO2界面产生损伤的机理,并对实验结果进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨志安	济南大学理学院	15	85	5.0	8.0
2	靳涛	中国科学院新疆物理研究所	11	6	2.0	2.0
3	姚育娟		10	48	4.0	6.0
4	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
5	杨祖慎	新疆大学物理系	6	8	2.0	2.0
6	戴慧莹	空军工程大学电信通信学院	10	17	2.0	3.0