InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器的研究

• 作者: 张晶 李林 王晓华 王玉霞 芦鹏 赵英杰
• 来源期刊: 长春理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机化合物气相沉积 单量子阱 分别限制异质结构
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 页码范围: 76-77
• 页数: 2页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 921字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-9870.2003.04.026

摘要

利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术,研制出了高质量的InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器,其有源区采用了分别限制单量子阱结构(SCH-SQW),利用该材料做出的半导体激光器的连续输出功率大于1W,峰值波长910nm±2nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵英杰	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	21	148	7.0	11.0
2	张晶	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	41	196	7.0	12.0
3	王玉霞	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	20	136	6.0	11.0
4	芦鹏	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	15	67	3.0	8.0
5	李林	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	30	177	8.0	12.0
6	王晓华	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	54	156	7.0	9.0