PECVD多晶金刚石平面薄膜场发射特性

• 作者: 朱长纯 邓宁
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 多晶金刚石薄膜 等离子体化学气相淀积 场致发射
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 39-41,52
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2211字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2003.03.011

摘要

以n-Si为衬底,用PECVD方法淀积了多晶金刚石薄膜.采用以金刚石薄膜为阴极的二极管结构测试了场发射特性,在6 V/μm的电场下,场发射电流为5 μA.研究了场发射的有效势垒随外加电场的变化,发现在有效势垒随外电场变化的曲线中存在一段平台.从理论上对这种现象进行了研究,分析了电子从Si衬底注入金刚石薄膜的方式,认为有效势垒的平台是由于缺陷能级在金刚石禁带中分布不均匀所致,并由此建立了在注入限制情况下多晶金刚石薄膜的场发射模型.根据模型计算得到有效势垒的理论曲线与实验曲线,反映了相同的变化规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱长纯	西安交通大学电信学院真空微电子所	215	2372	22.0	41.0
2	邓宁	清华大学微电子研究所	34	145	7.0	10.0