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摘要:
SiGe技术是微电子领域的前沿技术, 在硅基集成电路方面有重要应用. 介绍了SiGe/Si和SiGe-OI两种SiGeSi异质结构材料, 综述了这两种材料的制备技术和研究进展, 讨论了SiGe异质结构材料应用于纳米集成电路等的应用前景.
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文献信息
篇名 硅集成电路用SiGe/Si异质结构材料及其制备技术
来源期刊 稀有金属 学科 工学
关键词 SiGe 异质结构 绝缘体上硅锗
年,卷(期) 2003,(6) 所属期刊栏目 综合评述
研究方向 页码范围 758-763
页数 6页 分类号 TN304
字数 5528字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0258-7076.2003.06.023
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王凤娥 北京有色金属研究总院科技信息所 8 361 7.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
SiGe
异质结构
绝缘体上硅锗
研究起点
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
稀有金属
月刊
0258-7076
11-2111/TF
大16开
北京新街口外大街2号
82-167
1977
chi
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