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硅集成电路用SiGe/Si异质结构材料及其制备技术
硅集成电路用SiGe/Si异质结构材料及其制备技术
作者:
王凤娥
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
SiGe
异质结构
绝缘体上硅锗
摘要:
SiGe技术是微电子领域的前沿技术, 在硅基集成电路方面有重要应用. 介绍了SiGe/Si和SiGe-OI两种SiGeSi异质结构材料, 综述了这两种材料的制备技术和研究进展, 讨论了SiGe异质结构材料应用于纳米集成电路等的应用前景.
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内容分析
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相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
硅集成电路用SiGe/Si异质结构材料及其制备技术
来源期刊
稀有金属
学科
工学
关键词
SiGe
异质结构
绝缘体上硅锗
年,卷(期)
2003,(6)
所属期刊栏目
综合评述
研究方向
页码范围
758-763
页数
6页
分类号
TN304
字数
5528字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.0258-7076.2003.06.023
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王凤娥
北京有色金属研究总院科技信息所
8
361
7.0
8.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
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参考文献(0)
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二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
SiGe
异质结构
绝缘体上硅锗
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
稀有金属
主办单位:
北京有色金属研究总院
出版周期:
月刊
ISSN:
0258-7076
CN:
11-2111/TF
开本:
大16开
出版地:
北京新街口外大街2号
邮发代号:
82-167
创刊时间:
1977
语种:
chi
出版文献量(篇)
4172
总下载数(次)
13
总被引数(次)
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