TMAH单晶硅腐蚀特性研究

• 作者: 冯勇建 邓俊泳
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 四甲基氢氧化氨 各向异性腐蚀 微机电系统
• 年，卷（期）: 2003,（12）
• 所属期刊栏目: MEMS器件与技术
• 页码范围: 32-34
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 2150字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2003.12.008

摘要

TMAH是一种具有优良的腐蚀性能的各向异性腐蚀剂,选择性好,无毒且不污染环境,最重要的是TMAH与CMOS工艺相兼容,符合SOC的发展趋势.TMAH正逐渐替代KOH和其他腐蚀液,成为实现MEMS工艺中微三维结构的主要腐蚀剂.本文着重介绍了TMAH的特性、工艺条件及应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯勇建	厦门大学萨本栋微机电研究中心	103	953	15.0	26.0
2	邓俊泳	厦门大学机电工程系	5	148	4.0	5.0