Al2O3高k栅介质的可靠性

• 作者: 任驰 刘晓彦 夏志良 康晋锋 杨红 韩德栋 韩汝琦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高k栅介质 可靠性 时变击穿
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1005-1008
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1848字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.09.023

摘要

利用反应溅射方法制备了等效氧化层厚度为3.45nm的Al2O3栅介质MOS电容,研究了Al2O3作为栅介质的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿等可靠性特征.击穿实验显示,样品的Al2O3栅介质的等效击穿场强大小为12.8MV/cm.在时变击穿的实验中,Al2O3栅介质表现出类似于SiO2的软击穿现象.不同栅压应力作用的测试结果表明,介质中注入电荷的积累效应是引起软击穿的主要因素,其对应的介质击穿电荷QBD约为30～60C/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晓彦	北京大学微电子所	41	268	9.0	15.0
2	韩汝琦	北京大学微电子所	38	261	10.0	14.0
3	韩德栋	北京大学微电子所	11	86	5.0	9.0
4	康晋锋	北京大学微电子所	23	358	9.0	18.0
5	杨红	北京大学微电子所	33	204	8.0	13.0
6	夏志良	北京大学微电子所	4	7	2.0	2.0
7	任驰	北京大学微电子所	2	18	2.0	2.0