多晶硅集成高温压力传感器研究

• 作者: 张威 王阳元
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 集成 CMOS 多晶硅 压力传感器
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 1736-1738
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 字数: 2357字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2003.11.033

摘要

高温压力传感器因其特殊的应用环境而日益受到人们的重视.一些特殊的材料如SiC 、SOI等可以用来制作高温压力传感器,但是由于成本较高或加工难度大等原因,尚未得到广泛应用.本文提出了一种新型的高温压力传感器,采用多晶硅作为压敏电阻,同时采用新的工艺措施与全耗尽CMOS放大电路集成在一起,将输出电压转换为0～+5V的输出信号.通过模拟与投片实验,得到了优化的多晶硅注入浓度,从而使其压阻温度系数在-40℃～180℃范围内接近于零.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王阳元	北京大学微电子学研究院	78	1128	15.0	32.0
2	张威	北京大学微电子学研究院	31	474	10.0	21.0