总剂量辐射对高速电路时间特性的影响

• 作者: 严荣良 任迪远 余学峰 张国强 艾尔肯 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 时间特性 总剂量辐射 辐照偏置
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 834-836
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 1999字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2003.11.007

摘要

对不同辐照偏置条件下,总剂量辐射对高速CMOS电路54HC04时间参数的影响进行了探讨,并与相应的直流参数的响应特性进行了对比,研究了两者之间的相关性.结果表明,在总剂量辐射环境下,高速CMOS电路的延迟时间变化与阈电压的漂移有着强烈的相关性,0 V和4.5 V两种偏置状态将分别导致电路的时间参数的明显退化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严荣良	中国科学院新疆物理研究所	22	83	5.0	8.0
2	张国强	中国科学院新疆物理研究所	82	553	12.0	21.0
3	陆妩	中国科学院新疆物理研究所	42	320	11.0	16.0
4	郭旗	中国科学院新疆物理研究所	50	338	10.0	16.0
5	任迪远	中国科学院新疆物理研究所	59	375	11.0	16.0
6	艾尔肯	中国科学院新疆物理研究所	17	152	7.0	12.0
7	余学峰	中国科学院新疆物理研究所	19	125	7.0	10.0