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摘要:
论述了用CMOS工艺实现非接触式IC卡天线的集成化需要考虑的各个方面,建立了集成天线的模型,给出了合理的设计方案,并通过实验验证了模型和设计方案.实验结果表明,采用片上天线完全可以提供非接触式IC卡工作所需要的能量.在频率为22.5MHz、感应强度为6×10-4T的磁场中,面积为2mm×2mm的集成天线可以为10kΩ的负载提供1.225mW的能量.
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文献信息
篇名 用CMOS工艺实现非接触式IC卡天线的集成化设计
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 集成天线 非接触式IC卡 CMOS
年,卷(期) 2003,(5) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 466-471
页数 6页 分类号 TN82
字数 994字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.05.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐元森 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 20 176 8.0 12.0
2 倪昊 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 2 20 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
集成天线
非接触式IC卡
CMOS
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
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