陶瓷-铜键合基板(DBC)在功率模块的最近发展

• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 高新技术 集成 散热基板 氮化铝陶瓷 热膨胀系数 发展 氧化铝 功率模块
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 页码范围: 52-56
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 语种: 中文

摘要

DBC基板是功率模块上标准的电路板材料.利用DBC技术、厚铜箔(0.125mm-0.7mm)便可覆合在氧化铝或氮化铝陶瓷上.由於这种铜与陶瓷间结合力很强,致使其水平方向热膨胀系数减低到略比陶瓷热膨胀TEC大些.这样,在装配大型硅芯片时,就不需再用控制热膨胀的过渡片,芯片便可直接焊接在此基板上.因为DBC技术使用铜箔,令在陶瓷面上直接引出悬空的铜集成引脚实现.新的微导孔技术、结合此种集成引脚,令工程师们可以设计出轻巧、散热性良的气密封装模块.利用三维微通道式液冷散热基板置砖高功率区底部,令高新技术、低热阻性(1000Mpa、及具有优异的耐高低温循环性的氧化铝DBC基板已经发展完成.