确定VCSEL电势及载流子自洽分布算法的研究

• 作者: 林世鸣 赵鼎
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 准Fermi能级 pn结模型 VCSEL
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1093-1098
• 页数: 6页
• 分类号: TN36
• 字数: 4737字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.10.018

摘要

分别使用准Fermi能级和pn结模型决定VCSEL的有源层压降,建立了两种自洽确定VCSEL中电势及载流子分布的方法.针对电极电压变化和氧化层限制孔径变化的两种情况,在阈值附近对器件中的结电压分布、载流子浓度分布和注入有源层电流密度分布进行了计算;针对两者所得结果的差异进行了简要的分析,指出了二者的特点及适用范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵鼎	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	27	129	7.0	10.0
2	林世鸣	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	15	49	5.0	6.0