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用脉冲激光方法在Si(100)上沉积的Cox-C1-x颗粒膜及其磁电阻效应
用脉冲激光方法在Si(100)上沉积的Cox-C1-x颗粒膜及其磁电阻效应
作者:
朱丹丹
章晓中
薛庆忠
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
正磁电阻效应
Cox-C1-x颗粒膜
脉冲激光沉积
摘要:
利用脉冲激光沉积方法在Si(100)上制备了Cox-C1-x颗粒膜,并研究了其正磁电阻效应.实验结果表明,样品在室温下的正磁电阻效应要远远高于低温下的正磁电阻效应;Co0.02-C0.98样品具有最大的室温正磁电阻效应,在外加磁场B=1T时,其磁电阻率MR=22%;随着Co含量的增加,Cox-C1-x颗粒膜的正磁电阻效应呈减小趋势.样品的MR-B的曲线与传统的多层膜及颗粒膜结构有很大的不同,这一现象表明在实验样品中可能存在着一种新的输运机制.
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文献信息
篇名
用脉冲激光方法在Si(100)上沉积的Cox-C1-x颗粒膜及其磁电阻效应
来源期刊
物理学报
学科
物理学
关键词
正磁电阻效应
Cox-C1-x颗粒膜
脉冲激光沉积
年,卷(期)
2003,(12)
所属期刊栏目
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向
页码范围
3181-3185
页数
5页
分类号
O4
字数
3810字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1000-3290.2003.12.042
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
章晓中
清华大学材料科学与工程系
13
134
5.0
11.0
2
朱丹丹
清华大学材料科学与工程系
7
52
4.0
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薛庆忠
清华大学材料科学与工程系
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研究主题发展历程
节点文献
正磁电阻效应
Cox-C1-x颗粒膜
脉冲激光沉积
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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