工艺参数对CVD ZnS沉积速率的影响

• 作者: 东艳苹 张力强 方珍意 李卫 杨曜源 王向阳 田鸿昌 肖红涛 蔡以超 郝永亮
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 红外材料 ZnS CVD 沉积速率
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 238-240
• 页数: 3页
• 分类号: O782.9
• 字数: 1630字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.026

摘要

本文报道了CVD法制备ZnS晶体的制备工艺,系统地研究了气体流量、工作气压、基板温度等主要工艺参数对沉积速率的影响规律.实验表明,随着H2S(s)/Zn摩尔流量比的增加,沉积速率逐渐增大;基板温度升高,沉积速率加快;工作气压增大,沉积速率变化不大.在本实验研究的条件下认为,采用合适的H2S(s)/Zn摩尔流量比和沉积温度,在较低的工作气压下生长晶体,能保证较稳定的沉积速率,生长出高质量的晶体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王向阳		3	22	2.0	3.0
2	方珍意		3	18	2.0	3.0
3	蔡以超		4	30	3.0	4.0
4	张力强		4	24	2.0	4.0
5	肖红涛		4	24	2.0	4.0
6	杨曜源		2	11	1.0	2.0
7	东艳苹		3	19	2.0	3.0
8	田鸿昌		1	1	1.0	1.0
9	李卫		1	1	1.0	1.0
10	郝永亮		1	1	1.0	1.0