沉积电位对电沉积ZnS薄膜的影响

• 作者: 夏冬林 徐俊 石正忠 雷盼
• 来源期刊: 影像科学与光化学
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnS薄膜 电沉积 透过率 光学带隙
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 129-133
• 分类号: O484
• 字数: 2075字
• 语种: 中文

摘要

采用电沉积方法,在不同沉积电位条件下,在氧化锡铟(ITO)导电玻璃上沉积制备了ZnS薄膜,利用XRD、SEM和UV-VIS测试技术对在不同沉积电位所制备薄膜的晶相结构、表面微观形貌和光学性能进行了表征.研究结果表明:沉积电位在1.5 V 1.7V范围内制备的ZnS薄膜呈非晶态,其可见光透过率从60％降低到20％,薄膜的光学带隙约为3.97 eV.在沉积电位为2.0V条件下所沉积薄膜为ZnS结晶相和金属Zn混合相,薄膜透过率显著降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏冬林	武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室	43	437	11.0	20.0
2	石正忠	武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室	6	37	4.0	6.0
3	徐俊	武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室	8	85	5.0	8.0
4	雷盼	武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室	1	10	1.0	1.0