掺杂浓度对电沉积法制备ZnS: Cu光学薄膜影响

• 作者: 吴建鹏 曹丽云 曾燮榕 朱辉 熊信柏 黄剑锋
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnS:Cu薄膜 电沉积 掺杂浓度 光致发光
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 页码范围: 681-684
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2309字
• 语种: 中文

摘要

采用阴极恒电压法在ITO(In2O3-SnO2)导电玻璃表面制备了ZnS: Cu薄膜,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光致发光谱仪(PL)研究了掺杂浓度对ZnS: Cu薄膜的物相组成、显微结构及发光性能的影响.结果表明:控制Cu2+的质量掺杂浓度在0.4%以内,并不会改变ZnS薄膜的物相组成,而且会使薄膜的结晶程度有所提高.研究还发现,在pH=4.0,沉积电压为2 V,掺杂浓度为0.3 %的条件下,所制得的ZnS: Cu薄膜光致发光光谱峰值最大,亮度最高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄剑锋	陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室	271	1521	17.0	24.0
3	曹丽云	陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室	224	1288	16.0	22.0
4	熊信柏	深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室	29	285	8.0	16.0
5	曾燮榕	深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室	54	576	11.0	22.0
8	朱辉	陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室	4	16	2.0	4.0