注氢(111)硅片高温退火后形成的二次缺陷

• 作者: 屠海令 肖清华
• 来源期刊: 中国科学G辑
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅 氢 高温退火 二次缺陷
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 319-324
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 2773字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-7275.2004.03.009

摘要

硅材料与氢的相互作用是影响其结构完整性的重要方面.高分辨电子显微术被用于研究注氢硅片高温退火时形成的二次缺陷.实验发现高温退火如低温退火处理一样会导致(111)注氢硅片中出现裂纹,但不同之处在于裂纹的下部还有大量的位错发射,而且有些裂纹并未完全裂开,表现为非晶带.另外,高温退火还导致空腔的出现,空腔呈截角八面体形状,以{111}和{100}面为内表面,可以有非晶状的内壁.空腔平行于正表面成串状排布.空腔间有位错带与之相连.