区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

• 作者: 刘桂荣 张华 李传波 李怀祥 薛成山 郭成花
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 区熔硅 微缺陷 洁净区 中子辐照掺杂
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 382-387
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 3352字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.04.010

摘要

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
2	李怀祥	山东师范大学半导体研究所	44	210	7.0	12.0
3	李传波	山东师范大学半导体研究所	2	6	2.0	2.0
4	张华	山东师范大学半导体研究所	11	35	3.0	5.0
5	刘桂荣	北京科技大学冶金学院	12	79	5.0	8.0
6	郭成花	山东师范大学半导体研究所	1	3	1.0	1.0