单晶硅中过渡族金属镍对洁净区形成的影响

• 作者: 吴冬冬 席珍强 杨德仁 钟尧 阙端麟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 镍 洁净区
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 623-626
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 814字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.04.008

摘要

研究了过渡族金属镍在快速热处理作用下对直拉单晶硅中洁净区形成的影响.实验结果发现:硅中魔幻洁净区(MDZ)形成后,氧沉淀及其诱生缺陷能有效地吸杂金属镍;而沾污金属镍的硅中,随后的快速热处理工艺不能形成MDZ,硅片近表面出现大量沉淀.采用传统的内吸杂工艺,镍沾污的次序对洁净区的形成没有影响.实验表明由于硅片表面形成的镍硅化合物的晶格常数比硅小,所以在硅片近表面产生高浓度的空位,导致近表面的氧依然能够在MDZ工艺中形成沉淀.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
3	席珍强	浙江大学硅材料国家重点实验室	22	539	13.0	22.0
4	吴冬冬	浙江大学硅材料国家重点实验室	4	23	2.0	4.0
5	钟尧	中国空间技术研究院北京控制工程研究所	2	7	1.0	2.0