功率MOSFET单粒子烧毁测试技术研究

• 作者: 曹洲 杨世宇 达道安
• 来源期刊: 真空与低温
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子烧毁(SEB) 功率MOSFET 测试方法
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 21-25
• 页数: 5页
• 分类号: TN386|V443
• 字数: 3374字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2004.01.004

摘要

总结了2种单粒子烧毁测试方法.在非破坏性测试原理基础上,研制成功针对星用功率MOSFET的单粒子烧毁动态测试系统.系统在锎源单粒子效应实验装置调试通过.利用该系统,在HI-13串列加速器上初步完成了星用MOSFET单粒子烧毁验证实验.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	达道安		33	265	8.0	15.0
2	曹洲		19	181	9.0	12.0
3	杨世宇		17	161	9.0	11.0