PDP扫描驱动芯片的新型200V P沟功率MOSFET及工艺研究

• 作者: 孙伟锋 孙智林 易扬波 陆生礼 陈畅
• 来源期刊: 应用科学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 功率集成电路 功率器件 半导体工艺
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 162-166
• 页数: 5页
• 分类号: TN710|TN432
• 字数: 3275字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0255-8297.2004.02.009

摘要

提出了一种适合PDP扫描驱动芯片的高压P沟道ED-LDMOS器件结构,源漏击穿电压及栅耐压均达到220V以上.通过添加P型扩展阱,能够有效降低P+漏极边缘电场60%,减轻漏极电流汇聚效应,抑制寄生双极型晶体管开启,从而原器件开启态耐压(180V)提高了40V;同时设计了能与0.6μm标准低压CMOS工艺完全兼容的制备工艺,特别提出一种厚栅氧与多晶栅的刻蚀方法--余量刻蚀法,有效防止由于光刻误差引起的栅源短路击穿.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
2	孙智林	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	7	53	4.0	7.0
3	易扬波	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	11	64	5.0	7.0
4	陆生礼	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	54	449	12.0	18.0
5	陈畅	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	5	21	3.0	4.0