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用于PDP扫描驱动芯片的低成本VDMOS及其兼容工艺
用于PDP扫描驱动芯片的低成本VDMOS及其兼容工艺
作者:
庄奕琪
张丽
李小明
辛维平
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
PDP
VDMOS
BCD工艺
低成本
元胞结构
摘要:
给出了采用硅外延BCD工艺路线制造的低成本的VDMOS设计,纵向上有效利用17μm厚度的外延层,横向上得到的VDMOS元胞面积为324μm2,工艺上简化为18次光刻,兼容了标准CMOS、双极管和高压p-LDMOS等器件.VDMOS测试管的耐压超过200V,集成于64路170 PDP扫描驱动芯片功率输出部分,通过了LG-model42v6的PDP上联机验证.
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文献信息
篇名
用于PDP扫描驱动芯片的低成本VDMOS及其兼容工艺
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
PDP
VDMOS
BCD工艺
低成本
元胞结构
年,卷(期)
2007,(11)
所属期刊栏目
研究快报
研究方向
页码范围
1679-1684
页数
6页
分类号
TN402
字数
788字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2007.11.003
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
庄奕琪
西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
183
1168
15.0
22.0
2
李小明
西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
19
123
6.0
10.0
3
张丽
西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
25
178
9.0
12.0
4
辛维平
西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
3
10
2.0
3.0
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2013(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
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引证文献(0)
二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
PDP
VDMOS
BCD工艺
低成本
元胞结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:
The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:
http://www.863.org.cn
项目类型:
重点项目
学科类型:
信息技术
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