用于PDP扫描驱动芯片的低成本VDMOS及其兼容工艺

• 作者: 庄奕琪 张丽 李小明 辛维平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PDP VDMOS BCD工艺 低成本 元胞结构
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1679-1684
• 页数: 6页
• 分类号: TN402
• 字数: 788字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.11.003

摘要

给出了采用硅外延BCD工艺路线制造的低成本的VDMOS设计,纵向上有效利用17μm厚度的外延层,横向上得到的VDMOS元胞面积为324μm2,工艺上简化为18次光刻,兼容了标准CMOS、双极管和高压p-LDMOS等器件.VDMOS测试管的耐压超过200V,集成于64路170 PDP扫描驱动芯片功率输出部分,通过了LG-model42v6的PDP上联机验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	183	1168	15.0	22.0
2	李小明	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	19	123	6.0	10.0
3	张丽	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	25	178	9.0	12.0
4	辛维平	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	10	2.0	3.0