n-GaN上Ti/Al电极的表面处理与退火

• 作者: 何乐年 刘磊 陈忠景
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 欧姆接触 表面处理 退火
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 158-161
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 3042字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2004.02.022

摘要

实验研究了不同表面处理方法和不同退火条件对GaN上的Ti/Al电极的影响,用CH3CSNH2/NH4OH处理后的GaN材料的荧光光谱强度最高,在该材料上制作的Ti/Al电极的欧姆接触电阻率最小.通过欧姆接触电阻率,I-V曲线,X射线衍射等手段,分析了GaN与Ti/Al 电极接触表面在退火过程中的固相反应,提出了二次退火的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘磊	浙江大学信息与电子工程学系	29	205	7.0	13.0
2	何乐年	浙江大学信息与电子工程学系	88	869	16.0	26.0
3	陈忠景	浙江大学信息与电子工程学系	4	8	1.0	2.0