X射线光刻掩模背面刻蚀过程中的形变仿真

• 作者: 余建祖 余雷 王永坤 陈大鹏
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: X射线掩模 掩模形变 背面刻蚀 有限元 平面内形变 非平面形变
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 光子束技术
• 页码范围: 19-23,28
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2925字
• 语种: 中文

摘要

开发了理论模型以验证有限元方法用于X射线光刻掩模刻蚀过程数值仿真的正确性.利用相同的有限元技术,对X射线光刻掩模的背面开窗、Si片刻蚀过程进行数值仿真.结果表明,图形区域的最大平面内形变(IPD)出现在上、下边缘处,最大非平面形变(OPD)出现在左、右边缘处.此外对Si片单载荷步刻蚀和多载荷步刻蚀的仿真进行比较,结果表明图形区域最终的形变量与Si片刻蚀的过程无关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈大鹏	中国科学院微电子中心	79	466	10.0	17.0
2	王永坤		10	33	4.0	5.0
3	余建祖		61	336	10.0	16.0
4	余雷		6	11	3.0	3.0