a-Si:H薄膜的再结晶技术发展概述

• 作者: 冯团辉 卢景霄 张宇翔 王海燕 郜小勇 靳锐敏
• 来源期刊: 能源工程
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶硅薄膜 再结晶技术 多晶硅薄膜 多晶硅薄膜太阳电池
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 新能源及工艺
• 页码范围: 20-23
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3852字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3950.2004.06.005

摘要

论述了非晶硅薄膜的主要再结晶技术,包括传统的炉子退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化、快速热退火和激光晶化.着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待进一步研究的内容及其在多晶硅薄膜太阳电池工业生产中的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郜小勇	郑州大学教育部材料物理重点实验室	52	301	10.0	14.0
2	王海燕	郑州大学教育部材料物理重点实验室	62	372	11.0	16.0
3	卢景霄	郑州大学教育部材料物理重点实验室	100	570	12.0	17.0
4	张宇翔	郑州大学教育部材料物理重点实验室	45	274	10.0	14.0
5	靳锐敏	郑州大学教育部材料物理重点实验室	8	55	4.0	7.0
6	冯团辉	郑州大学教育部材料物理重点实验室	10	86	6.0	9.0