溅射沉积功率对PZT薄膜的组分、结构和性能的影响

• 作者: 孙璟兰 李新曦 王根水 褚君浩 赖珍荃 赵强
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 射频溅射 沉积功率 钙钛矿结构 PZT 铁电薄膜
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 313-316
• 页数: 4页
• 分类号: TB39|O484
• 字数: 2582字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2004.04.016

摘要

用射频(RF)溅射法在镀LaNiO3(LNO)底电极的Si片上沉积PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)铁电薄膜,沉积过程中基底温度为370℃,然后在大气环境中对沉积的PZT薄膜样品进行快速热退火处理(650℃,5min).用电感耦合等离子体发射光谱(ICP-AES)测量其组分,X射线衍射(XRD)分析PZT薄膜的结晶结构和取向,扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜的表面形貌和微结果,RT66A标准铁电综合测试系统分析Pt/PZT/LNO电容器的铁电与介电特性.结果表明,PZT薄膜的组分、结构和性能都与溅射沉积功率有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赖珍荃	南昌大学物理系	20	139	7.0	10.0
2	褚君浩	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	103	650	13.0	22.0
3	孙璟兰	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	13	57	4.0	7.0
4	赵强	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	78	651	14.0	21.0
5	李新曦	南昌大学物理系	3	25	3.0	3.0
6	王根水	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	19	107	6.0	9.0