PDP扫描驱动芯片中高压VDMOS器件的设计

• 作者: 姜法明 庄奕琪 张丽 李小明
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: PDP扫描驱动芯片 VDMOSFET 场板 场限环 MEDICI
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: IC工程
• 页码范围: 56-58
• 页数: 3页
• 分类号: TN403
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2004.10.027

摘要

PDP扫描驱动芯片完成高低压转换和功率输出,要求器件耐压170v.本文基于BCD工艺,提出了高压器件VDMOS的结构,采用了不附加工艺的场板和场限环两种终端结构提高器件耐压,并利用器件模拟软件MEDICI进行了仿真验证,得到了优化的器件结构参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子所	183	1168	15.0	22.0
2	李小明	西安电子科技大学微电子所	19	123	6.0	10.0
3	张丽	西安电子科技大学微电子所	25	178	9.0	12.0
4	姜法明	西安电子科技大学微电子所	3	20	2.0	3.0