二次电子发射系数对新型SM-PDP放电过程的影响

• 作者: 屠彦 徐静声
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 潘宁电离 二次电子发射 新型荫罩式PDP
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 220-223,353
• 页数: 5页
• 分类号: TN141.5
• 字数: 2515字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2004.02.002

摘要

针对新型荫罩式PDP(SM-PDP)结构,采用二维数值模拟的方法研究了二次电子发射系数对放电过程的影响;以及在放电单元不同的表面上,二次电子发射系数对放电过程影响.通过计算比较得知二次电子发射系数越大,响应频率越快,粒子电离率越高;在SMPDP中, 二次电子发射主要是由粒子轰击放电单元内上下介质表面决定的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	屠彦	东南大学电子工程系金东飞显示中心	87	325	8.0	13.0
2	徐静声	东南大学电子工程系金东飞显示中心	2	9	1.0	2.0