一维GaN纳米材料生长方法

• 作者: 李忠 杨利 薛成山
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米材料 氮化镓 纳米线
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米技术
• 页码范围: 35-37
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2465字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.02.012

摘要

介绍了国际上近年来合成一维GaN纳米材料的研究情况,分析了模板限制生长法、基于VLS机制的催化反应生长法、氧化辅助生长法和两步模式生长法合成GaN纳米线的工艺特点,展望了GaN纳米线研究重点和方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨利	山东师范大学物理与电子科学学院	12	72	5.0	8.0
2	薛成山	山东师范大学物理与电子科学学院	117	476	11.0	13.0
3	李忠	山东师范大学物理与电子科学学院	55	330	8.0	17.0