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摘要:
从量子力学的微挠理论角度分析散射机制的基本理论,总结了半导体中几种重要的散射机制并给出了散射率的一般表达式,给出一具体的例子,分析了Si中的散射机制,用蒙特卡罗方法模拟了Si中的各种散射机制的散射率和其中载流子的运动状态.
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文献信息
篇名 半导体器件模拟中的散射机制
来源期刊 贵州大学学报(自然科学版) 学科 物理学
关键词 散射机制 微挠理论 散射率 蒙特卡罗方法
年,卷(期) 2004,(4) 所属期刊栏目 专题研究
研究方向 页码范围 360-364
页数 5页 分类号 O472+.3
字数 3479字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-5269.2004.04.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴广国 贵州大学电子科学系 3 10 2.0 3.0
2 张子砚 贵州大学电子科学系 1 8 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
散射机制
微挠理论
散射率
蒙特卡罗方法
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
贵州大学学报(自然科学版)
双月刊
1000-5269
52-5002/N
16开
贵州省贵阳市花溪
1982
chi
出版文献量(篇)
3181
总下载数(次)
5
总被引数(次)
11240
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