低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究

• 作者: 刘志凯 周剑平 宋书林 尹志岗 李艳丽 杨少延 陈诺夫
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs∶Gd X射线衍射 X光电子能谱
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1658-1661
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.7
• 字数: 2884字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.021

摘要

对室温条件下用低能离子束沉积得到的GaAs∶Gd样品,借助X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,结果表明没有出现新的衍射峰,并且摇摆曲线的形状与Gd的注入计量密切相关.运用X光电子能谱仪对比分析了Gd注入后,衬底中主要元素Ga2p和As3d的化学位移,以及不同计量的样品中注入的Gd4d芯能级束缚能的变化,并分析了铁磁性产生的可能原因.