热丝CVD生长SiCN薄膜的研究

• 作者: 余庆选 常超 廖源 方容川 牛晓滨
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: HFCVD SiCN薄膜 α-Si3N4
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 397-403
• 页数: 7页
• 分类号: TB43
• 字数: 3062字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.02.023

摘要

在HFCVD系统中采用SiH4/CH4/H2/N2混合气体成功的制备了SiCN薄膜.SEM照片显示制备的SiCN薄膜由棒状结构构成,而在HRTEM下发现这些棒状结构是由生长在无定型SiCN基体当中的纳米晶粒组成的.进一步的SAED和XRD分析说明SiCN纳米晶粒具有类似于α-Si3N4的结构.XPS和FTIR分析表明薄膜中含有Si、C、N和O几种元素以及C=N、Si-N和C-N等共价键,但是并没有观察到C-Si的存在.由实验得出结论,SiCN晶体的生长包括两个步骤:α-Si3N4团簇的生长和C取代其中Si的过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	廖源	中国科学技术大学结构分析开放研究实验室	12	95	5.0	9.0
5	余庆选	中国科学技术大学物理系	7	39	4.0	6.0
6	方容川	中国科学技术大学物理系	8	98	5.0	8.0
7	常超	中国科学技术大学结构分析开放研究实验室	4	63	3.0	4.0
11	牛晓滨	中国科学技术大学结构分析开放研究实验室	2	24	2.0	2.0