CVD法生长ZnSe的工艺分析

• 作者: 张力强 方珍意 王向阳 肖红涛 蔡以超
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 化学气相沉积 硒化锌 工艺分析
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 235-237
• 页数: 3页
• 分类号: O782.9
• 字数: 1554字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.025

摘要

采用单质Se为原料(Zn-Se-H2-Ar体系)来生长CVD ZnSe,初步分析了这种工艺的机理,并详细分析了各种工艺参数对生长ZnSe的影响.这些工艺参数包括沉积腔的温度和压力,Zn坩埚和Se坩埚的温度,各路载流气体的流量.对这些工艺参数进行调整和精确控制,并控制好Zn蒸气和Se蒸气气嘴处的ZnSe生长形态,生长出了质量良好的ZnSe多晶体,透过率超过70%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王向阳		3	22	2.0	3.0
2	方珍意		3	18	2.0	3.0
3	蔡以超		4	30	3.0	4.0
4	张力强		4	24	2.0	4.0
5	肖红涛		4	24	2.0	4.0